杨为佑教授介绍了柔性SiC场发射阴极材料的可控生长及其电子发射特性等研究。先从场发射的基本概念出发，分别介绍了柔性SiC场发射阴极材料生长与掺杂、柔性SiC场发射阴极材料形貌精细控制、柔性SiC场发射阴极材料掺杂与形貌协同调控、柔性SiC场发射阴极材料的电子发射点生长调控等技术。杨教授指出了三种提高场发射性能的方法：减小低维纳米材料头部结构的尺寸(局域场增强效应)；增加场致电子的发射点；掺杂改性：调控能带结构。同时他也指出了SiC场发射阴极材料研发所面临的困难和挑战：如何获得低开启电场和稳定的电子发射。